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J19TEシリーズ 光起電力型 MCTディテクター

J19TEシリーズディテクターは、0.5μm～5.0μmでご使用になれる高品質なHgCdTe光ダイオードです。

ディテクターの等価回路は、光起電力電流源Iphに並列なキャパシタンスCD、シャント抵抗RD、および直列抵抗RSとで表すことが出来ます。

動作温度とその効果：
　HgCdTe光ダイオードを冷やすと、雑音が減少し検出感度は改良されます。またディテクターを冷やすことにより、シャント抵抗Rが高くなり、より長い波長まで応答領域を改良します。

電子冷却：
図25-1 図25-2 図25-3は、TE2、TE3、およびTE4クーラーの典型的な電力消費を示します。

感度、カットオフ波長、および応答の一様性はすべて温度に関する関数です。

ディテクター温度は、各々のアプリケーションにより最適な構成を選択して下さい。

動作回路：
　ほとんどのアプリケーションに共通で使うことが出来る動作回路は、ディテクターに 0.1V 逆バイアスをかけた、負帰還インピーダンス変換OPアンプ構成(図5)です。

この逆バイアスは、ディテクターの有効なシャントインピーダンスを増加させ、J12シリーズマニュアルで説明した応答度効果を無効にします。

光起電力 HgCdTeの利点：
　0.5μm～5.5μm領域で一般的に使用される光伝導体と異なって、HgCdTe光ダイオードは、光起電力モードで作動し、検出にバイアス電流を必要としません。

これは、PbS PbSe、およびHgCdTeに代表される光伝導素子に共通する短所である低周波”1/F”ノイズ特性が無いため、DC～低周波アプリケーションに最適な選択になります。

　また J19TEディタクターは、高速パルスレーザーのモニターに優れたパルス・レスポンスを提供します。

より詳しい内容は、和文カタログを用意しております。内部リンク PDF形式和文カタログをダウンロードして下さい。また外部リンク ジャドソン社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。