InAs_J12
J12 InAsディテクタ
1~3.8μm波長領域で使用されるディテクターは、PbS PbSe および HgCdTeが一般的です。しかしこれらの素子は光が当たると素子の抵抗値が変化する光伝導素子で、抵抗値の変化の検出にバイアス電流を必要とします。
一方InAsは光起電力モードで動作し、バイアス電流を必要としません。このことは、光伝導素子が示す低周波領域における "1/f" 雑音特性がなく InAsを DCとか低い周波数のアプリケーションに使うことは賢明な選択となります。(図13-5) またInAsは、高速パルスレーザーをモニターし、検出するアプリケーションにも優れたパルス応答性を提供致します。(図13-6)
ジャドソン社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。
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Model Number | Active Size (dia.) (mm) | Opr. Temp. | Cutoff Wave- length @λco -50% (μm) | Respon sivity @λp (A/W) | Shunt Resis tance RD @VR =10mV Min. Typ. (Ω) | Maxi. NEP @λ peak and 1KHz (pW/ Hz 1/2) | Mini. D* @λ peak and 1KHz (Jones) (cmHz 1/2W-1) | Capaci tance CD @VR =0V (pF) | Option Pack ages and Acces sories | |
J12シリーズ室温動作 InAsディテクター | ||||||||||
J12-18C -R250U | 0.25 | 22℃ | 3.6 | 1.5 | 200 | 300 | 6 | 3.70E+09 | 50 | LD2 |
J12-18C -R01M | 1 | 1 | 15 | 25 | 33 | 2.70E+09 | 400 | |||
J12-5AP -R02M | 2 | 0.8 | 5 | 10 | 71 | 2.50E+09 | 1600 | |||
J12TE1シリーズ 1段電子冷却 InAsディテクター | ||||||||||
J12TE1 -37S -R250U | 0.25 | -20℃ | 3.5 | 1.5 | 2000 | 3000 | 1.8 | 1.30E+10 | 50 | HS1 CM21 |
J12TE1 -37S -R01M | 1 | 1.5 | 200 | 300 | 5.6 | 1.60E+10 | 400 | |||
J12TE1 -37S -R02M | 2 | 1.25 | 50 | 90 | 13 | 1.30E+10 | 1600 | |||
J12TE2シリーズ 2段電子冷却 InAsディテクター | ||||||||||
J12TE2 -66D -R250U | 0.25 | -40℃ | 3.45 | 1.5 | 12K | 24K | 0.69 | 3.20E+10 | 50 | HS Amp HS1 CM21 CM Amp |
J12TE2 -66D -R01M | 1 | 1.2K | 2.4K | 2.2 | 4.10E+10 | 400 | ||||
J12TE2 -66D -R02M | 2 | 300 | 500 | 4.4 | 4.10E+10 | 1600 | ||||
J12TE3シリーズ 3段電子冷却 InAsディテクター | ||||||||||
J12TE3 -66D -R250U | 0.25 | -65℃ | 3.4 | 1.5 | 160K | 320K | 0.18 | 1.20E+11 | 50 | HS Amp HS1 CM21 CM Amp |
J12TE3 -66D -R01M | 1 | 15K | 30K | 0.58 | 1.50E+11 | 400 | ||||
J12TE3 -66D -R1.5M | 1.5 | 5K | 10K | 1 | 1.30E+11 | 800 | ||||
J12TE4シリーズ 4段電子冷却 InAsディテクター | ||||||||||
J12TE4 -3CN -R250U | 0.25 | -85℃ | 3.3 | 1.5 | 800K | 1.2M | 0.076 | 2.90E+11 | 50 | HS Amp HS1 CM21 CM Amp |
J12TE4 -3CN -R01M | 1 | 75K | 120K | 0.25 | 3.60E+11 | 400 | ||||
J12TE4 -3CN -R02M | 2 | 15K | 25K | 0.55 | 3.20E+11 | 1600 |