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InAs_J12

J12 InAsディテクタ


1~3.8μm波長領域で使用されるディテクターは、PbS PbSe および HgCdTeが一般的です。しかしこれらの素子は光が当たると素子の抵抗値が変化する光伝導素子で、抵抗値の変化の検出にバイアス電流を必要とします。
 一方InAsは光起電力モードで動作し、バイアス電流を必要としません。このことは、光伝導素子が示す低周波領域における "1/f" 雑音特性がなく InAsを DCとか低い周波数のアプリケーションに使うことは賢明な選択となります。(図13-5) またInAsは、高速パルスレーザーをモニターし、検出するアプリケーションにも優れたパルス応答性を提供致します。(図13-6)
ジャドソン社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。

NEP vs Frequency

center:J12 Indium Arsenide Detectors J12 response

J12 Indium Arsenide Detectors 受光感度特性

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Model
Number
Active
Size
(dia.)
(mm)
Opr.
Temp.
Cutoff
Wave-
length
@λco
-50%
(μm)
Respon
sivity
@λp
(A/W)

Shunt
Resis
tance
RD
@VR
=10mV

Min. Typ.
(Ω)
Maxi.
NEP

peak
and
1KHz
(pW/
Hz
1/2)
Mini.
D*

peak
and
1KHz
(Jones)
(cmHz
1/2W-1)
Capaci
tance
CD
@VR
=0V
(pF)
Option
Pack
ages
and
Acces
sories

J12シリーズ室温動作 InAsディテクター
J12-18C
-R250U
0.2522℃3.61.520030063.70E+0950LD2
J12-18C
-R01M
111525332.70E+09400
J12-5AP
-R02M
20.8510712.50E+091600
J12TE1シリーズ 1段電子冷却 InAsディテクター
J12TE1
-37S
-R250U
0.25-20℃3.51.5200030001.81.30E+1050HS1
CM21
J12TE1
-37S
-R01M
11.52003005.61.60E+10400
J12TE1
-37S
-R02M
21.255090131.30E+101600
J12TE2シリーズ 2段電子冷却 InAsディテクター
J12TE2
-66D
-R250U
0.25-40℃3.451.512K24K0.693.20E+1050HS Amp
HS1
CM21
CM Amp
J12TE2
-66D
-R01M
11.2K2.4K2.24.10E+10400
J12TE2
-66D
-R02M
23005004.44.10E+101600
J12TE3シリーズ 3段電子冷却 InAsディテクター
J12TE3
-66D
-R250U
0.25-65℃3.41.5160K320K0.181.20E+1150HS Amp
HS1
CM21
CM Amp
J12TE3
-66D
-R01M
115K30K0.581.50E+11400
J12TE3
-66D
-R1.5M
1.55K10K11.30E+11800
J12TE4シリーズ 4段電子冷却 InAsディテクター
J12TE4
-3CN
-R250U
0.25-85℃3.31.5800K1.2M0.0762.90E+1150HS Amp
HS1
CM21
CM Amp
J12TE4
-3CN
-R01M
175K120K0.253.60E+11400
J12TE4
-3CN
-R02M
215K25K0.553.20E+111600


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