レーザ関連部品、ナノポジショニング、サーマルソリューションのご用命は、株式会社キーストンインターナショナル

nanoplus_DFB

nanoplus社製DFBについて

nanoplus DFB lasers
nanoplus社は、産業および研究における高精度ガスセンシング用の半導体光源を設計します。
当社のデバイスは、調整可能なTDLASを使用して、選択性と感度が高い、堅牢な測定を容易にします。過酷な環境であっても、微量ガスをその場でリアルタイムに最大ppbの精度で測定します。 世界中で30,000を超える導入実績が、nanoplus社製レーザーの信頼性を証明しています。

当社はドイツでISO 9001:14001認証を取得した2つの製造拠点で、設計から梱包に至るプロセスチェーン全体を管理しています。これにより、あらゆる顧客にカスタマイズされたソリューションをご案内できるようにしております。

DFB

■DFBレーザーコンセプト
nanoplus_DFB Laser Concept

Laser Concept

■ラージサイドモード抑圧、チューニング/出力

吸収帯データの詳細につきましてはこちらをご覧ください。
Large side mode suppresion, tuning and power1

large side mode suppression, tuning and power 2

■Interband Cascade Laser (ICL)
Interband Cascade Lasers (ICL)

Basic recombination schemes in VIS to IR lasers

MIR Diode, QC- and IC-laser threshold power density comparison


Northwestern University, ETH Zürich, Alpes Lasers
Naval Research Lab
University of Würzburg, nanoplus GmbH

■ICL DFBデバイスの性能
ICL DFB device performance 1

※CWでのモノモード動作(最大80℃)
 出力>18mW(室温)

ICL DFB device performance 2

■MBE Systemの導入

nanoplus社は分子線エピタキシー(MBE: Molecular Beam Epitxy)を導入しています。
これにより、各セルのシャッターにより、成長方向や組成分布の厳密なコントロールが可能になりました。

※MBEは超真空下で電子線により、各原料を加熱し、発生した分子線を基板に到達させて結晶成長(エピタキシャル成長)を行う方法です。界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができます。超格子構造やヘテロ構造などの作製でも多く用いられています。
New MBE system

Some impressions from the clean room

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