J10_InSb_dewar
J10シリーズ InSbディテクタ
PV(Photo Voltaic) 1～5.5μm
J10シリーズのディテクターは、高性能アンチモン化インジウム（InSb）フォトダイオードで、1～5.5μmの波長範囲で優れた性能を発揮します。単結晶 p-n接合技術により、均一性 直線性 及び安定性に優れ、かつ高速 低雑音のディテクターが得られます。InSb検出器は光起電力型で、赤外線が入射すると電流が生じます。ショットノイズは、背景の赤外放射から発生する直流電流IBGによるノイズです。IBGは検出器の有効領域に比例するため、検出器が小さくなればショット雑音は低くなりNEPの値も小さくなります。
ジャドソン社ホームページ(英文)も合わせてご参照下さい。
すべてのJ10シリーズ InSbディタクターの運転温度は 77kです。ディテクターは、標準の金属ディユアー M204または M205に視野角 60°で、入射口にサファイヤウインドーが取り付けられます。異なった視野角、長時間仕様デュアーもオプションで選択できます。また、スラーリング冷却機構を持ったモデルもあります。 J10クライオ/スターリングクーラ冷却を参照して下さい。
J10クライオ/スターリングクーラ冷却を参照して下さい。
| Model Number | Active Size (dia.) | Peak Res- pon‐ sivity | D* @ lpeak and 1KHz | NEP @ lpeak and 1KHz | Back- grd Curr. IBG | Open Circuit Volt VOC | Shunt Resis- tance RD @ VR = 0V | Capaci- tance CD | Standard Packages | |
| mm | A/W | cm Hz 1/2W -1 | pW /Hz 1/2 | μA | mV | ohms | nf | Dewar | Window | |
| J10D- M204- R100U- 60 | 0.1 | 3 | 1xE11 | 0.08 | 0.15 | 90 to 120 | >25M | 0.01 | Side- Look M204 M200 | Sapphire Amtir 1-6μm AR Silicon |
| J10D- M204- R250U- 60 | 0.25 | 3 | 1xE11 | 0.2 | 0.4 | 90 to 120 | >10M | 0.03 | ||
| J10D- M204- R500U- 60 | 0.5 | 3 | 1xE11 | 0.4 | 2 | 90 to 120 | >1M | 0.1 | ||
| J10D- M204- R01M- 60 | 1 | 3 | 1xE11 | 0.8 | 7 | 90 to 120 | >500K | 0.4 | ||
| J10D- M204- R02M- 60 | 2 | 3 | 1xE11 | 1.6 | 30 | 90 to 120 | >150K | 1.6 | Down- Look M205 | |
| J10D- M204- R04M- 60 | 4 | 3 | 1xE11 | 3 | 110 | 90 to 120 | >40K | 6 | ||
| J10D- M204- R07M- 60 | 7 | 3 | 1xE11 | 6 | 350 | 90 to 120 | >10K | 20 | ||
