nanoplus_DFBレーザー
nanoplus社製 DFBレーザーダイオード
■製品一覧
nanoplus社製 DFB製品について
nanoplus社は、産業および研究における高精度ガスセンシング用の半導体光源を設計します。当社のデバイスは、調整可能なTDLASを使用して、選択性と感度が高い、
そして堅牢な測定を容易にします。過酷な環境であっても、微量ガスをその場でリアルタイムに最大ppbの精度で測定します。 世界中で30,000を超える導入実績が、nanoplus社製レーザーの信頼性を証明しています。
当社はドイツでISO 9001:14001認証を取得した2つの製造拠点で、設計から梱包に至るプロセスチェーン全体を管理しています。これにより、あらゆる顧客にカスタマイズされたソリューションをご案内できるようにしております。
■DFBレーザーコンセプト
■ラージサイドモード抑圧、チューニング/出力
吸収帯データの詳細につきましてはこちらをご覧ください。
■Interband Cascade Laser (ICL)
↑
Northwestern University, ETH Zürich, Alpes Lasers
Naval Research Lab
University of Würzburg, nanoplus GmbH
■ICL DFBデバイスの性能
※CWでのモノモード動作(最大80℃)
出力>18mW(室温)
■MBE Systemの導入
nanoplus社は分子線エピタキシー(MBE: Molecular Beam Epitxy)を導入しています。
これにより、各セルのシャッターにより、成長方向や組成分布の厳密なコントロールが可能になりました。
※MBEは超真空下で電子線により、各原料を加熱し、発生した分子線を基板に到達させて結晶成長（エピタキシャル成長）を行う方法です。界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができます。超格子構造やヘテロ構造などの作製でも多く用いられています。
製品一覧
Distributed Feedback Lasers
・Diode Laser: 760～2900nm
・Interband Cascade Laser (ICL): 2800～6000nm
・Quantum Cascade Laser (QCL): 6000～14000nm
■760～830nm
■830～920nm
■920～1100nm
■1100～1300nm
■1300～1650nm
■1650～1850nm
■1850～2200nm
■2200～2600nm
■2600～2900nm
■2800～4000nm (ICL)
■4000～4600nm (ICL)
■4600～5300nm (ICL)
■5300～5800nm (ICL)
■5800～6500nm (ICL)
■6000～14000nm (QCL)(Pulsed)
■6000～11000nm (QCL)(CW) ← New!!
Top Wavelength
■760.8nm
■1278.8nm
■1392.0nm
■1512.2nm
■1560nm & 1570nm & 1580nm & 1590nm
■1651nm & 1654nm
■1742.0nm
■1854nm & 1877nm
■2004.0nm
■2330nm & 2334nm
■3240nm & 3270nm
■3345nm & 3375nm
■3345nm (High Power)
■4524nm & 4534nm
■4565nm (High Power)
■5184nm & 5263nm
Interband Cascade Laser (ICL)
News!!
ICL製品(2950 ～ 5500μm)にもファイバ
結合型製品をご案内できるようになりました。
■2800～4000nm
■4000～4600nm
■4600～5300nm
■5300～5800nm
■5800～6500nm
■3345nm & 4565nm (高出力) ← New!!
※PRISM AWARDS受賞製品 (2012年)
nanoplus社のDFBインターバンドカスケード レーザー (ICL) は、
2012年に「グリーンフォトニクスと持続可能なエネルギーに対するプリズム賞」を受賞しました。
これらは3000～6000nmの波長範囲全体をカバーし、多くのガス成分はこの波長帯で最も強い吸収特性を持っています。
これらは現在、産業や研究においてTDLASに利用できるようになりました。
SPIEとPhotonics Media は、サンフランシスコ(米)で開催されたPhotonics Westの式典でこのレーザー製品開発を表彰しました。
nanolus社は、波長範囲 760～14,000nmのDFBレーザーダイオードを提供しております。
標準納期は約3ヶ月です。
詳細は 株式会社キーストンインターナショナルまでお問合せください。
各DFB製品コンセプト
| Laser Diode (760～3000nm)  | Bipolar Interband Laser Diodes LDでは、電子と正孔が半導体ダイオードの p-n接合部で光学的バンド間再結合を起こします。この遷移は大きなエネルギーギャップを持ちます。 これにより、デバイスでより短い波長範囲を実現できます。 |
| Interband Cascade Laser (2800～6000nm)  | Interband Cascade Laer type-Ⅱ-W-QW ICLでは、電子と正孔は半導体材料のW字型 量子井戸(QW)において光学的バンド間再結合を起こします。この遷移エネルギーはLDとQCLの中間に位置し、デバイスで中波長域を実現できます。 |
| Quantum Cascade Laser (6000～14000nm)  | Quantum Cascade Lasers QCLでは、価電子帯(VB)は光遷移に全く関与しません。電子と正孔は、半導体材料の 伝導帯(CB)内で光学的バンド内再結合を起こします。この遷移エネルギーは低いため、 これらのデバイスではより長い波長範囲を 実現できます。 |
