接合容量(CD)
光起電力型ディテクターでは、p-n接合部にディテクターのアクティブサイズに比例した接合静電容量が存在します。
最大逆耐電圧(VR)
光起電力型ディテクターでは、p-n接合部に逆バイアスを掛ける電圧には眼界があり、この電圧を越すとデバイスを破損する結果になります。
NEP(入力換算ノイズ電力)
ディテクターの出力の SN比が 1になる時の入射射パワーで、特定のチョップ周期、波長および有効な雑音帯域幅に関して定義されています。
NEP @λp=Noise(A/Hz1/2)/ Responsivity @ λp (/W)
開放電圧(Voc)
高インピーダンス負荷に接続された光起電力型ディテクターで発生したDC電圧。
光伝導型ディテクター(PC)
光子ディテクターの一種で、入射光によるその伝導率の変化を利用します。
光起電力型ディテクター(PV)
入射光パワーを直接電流に変える p-nまたはp-i-n構造を持った光子ディテクター。またフォトダイオードとも呼ばれます。
感度(R)
特定の波長における、単位入射光量に対するディテクターのフォトカレント(または電圧)で、単位として 電流/ワット(またはボルト/ワット)で表されます。
ショットノイズ
ランダムに発生するダイオード電流をショットノイズ(Shot Noise)と呼んでいます。
i2 = 2qI冉
ここで Iは総電流、qは電荷、冉は雑音帯域幅です。
シャント抵抗(RD)
暗中 ゼロバイアス条件下で、フォトダイオードの端子間で測定される光ダイオードの抵抗です。RDは電流-電圧特性におけるゼロボルトバイア時のスロープの傾き dV/dlです。また、ダイナミックインピーダンスとも呼ばれます。
時定数(t)
入射光が変化した時、ディテクターの出力信号が最終的な値の63%に達するのに要する時間で、以下の通りカットオフ周波数(fc)に関連しています。:
τ = 1/21πfc
より詳しい内容は、 ジャドソン社ホームページ(英文) も合わせてご参照下さい。 |